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第740章 秦总指导路线从来没错过（第1页）

“秦总，有这笔钱就足够了，一年之内，我们就能搞出193纳米的ARF光刻机，如果使用多重曝光技术，这种光刻机可以一直用到90纳米，但是，在下一代65纳米的工艺节点上，这种光刻机就被限制住了。”

大部分人都知道，制造芯片会被光刻机卡脖子，但是究竟怎么卡脖子，并不是很清楚。

制造芯片，本质上就是在硅片上刻蚀电路，经过多年发展，光刻法已经彻底成熟了，这就和照相机一样，在硅片上抹一层光刻胶，然后用光刻机把对应的光刻胶烧掉，就像是照相机底片感光一样，从而把电路图做出来。

没错，光刻机只是像是复印机一样，把电路图复制在硅片上，接下来还会有刻蚀机，根据光刻出来的电路图，在硅片上用化学手段做出moS管来，从而做出一个个电路。

光刻是最重要的一步，光刻机的技术进步，也会推动芯片制造工艺的进步。

而光刻机之中，光源的波长很重要。

早些年使用的是紫外光源，从波长436纳米的g线到波长365纳米的i线，发展到了深紫外光源，也就是波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF，到这里，技术止步了！

“目前193纳米的光源，使用多次曝光技术，可以把工艺推进到90纳米，几乎所有人都认为，193纳米的光刻机，是无法延伸到65纳米技术节点的，如果继续改进制程，那就需要在光源上做手脚。”

别看徐教授这几年在造光盘，但是，他从来就没有离开过自己真正喜爱的光刻机！一直都在关注光刻机技术的进步！

己方现在可以造ArF光源的光刻机，接下来的技术路线怎么解决？

光刻机的波长越小，就代表着光源越细，光刻电路也会越细，芯片的技术制程才能推进一大步。

“目前，行业内一共有两种技术路线，尼康、佳能这些老牌公司，主张使用157纳米的氟气准分子激光作为光源，全新的EUVLLc联盟主张使用极紫外激光器技术，也就是EUV光源，直接把技术路线迭代到十纳米以下。但是……”

这两种技术路线，都有严重缺陷！

波长越短的光，越容易被吸收！157纳米的光源，会被大多数材料强烈吸收，以至于无法到达芯片上！只有二氟化钙研磨的镜头可以勉强使用，但是这种材料做光学镜头，质量太差，寿命也短。

至于EUV光源，那就不用折射原理了，直接加反射镜片，解决了透镜吸收光源的问题，但是，这种光刻机属于全新的产品，研发很难，而且，极紫外光的产生很困难，需要耗费大量的电力。

两种技术路线，都有很大的问题，接下来用什么技术路线，非常关键！

“嗯，我们开辟新的赛道。”秦川说道：“我们在ArF光刻机的基础上，镜头和光源之间加一层水，通过水的折射作用，把193纳米光源降低到134纳米。”

什么？

徐教授惊呆了，倪老也惊呆了。

这不是开玩笑吗？在精密的光刻机镜头上，加一层水？

万一这层水要是漏了，岂不是会让光刻机坏掉？万一水里有一个气泡，岂不是会改变光线的路径，从而导致整个硅片都报废？